复合半导体晶片

作为“超越摩尔”时代的基石，化合物半导体如III-V或II-VI材料作为电子/电子芯片的衬底材料发挥着非常关键的作用。与传统的硅衬底相比，这些复合半导体材料具有大的带隙、高载流子迁移率、抗辐射电阻率、光学透明性等特殊的物理和化学性质。许多创新的结构和芯片设计利用了这些优势，实现了它们的小型化、低成本和高性能，这使得它们有可能在商业上取得成功。一个很好的例子是电动汽车(EV)配备了一堆由碳化硅(SiC)衬底制成的高压芯片，高速再充电器也受益于碳化硅芯片。在“后摩尔”时代，化合物半导体的技术发展引发了更多的商业尝试，其商业成功或潜力激发了发达经济体的大量投资。丰富的投资带动了市场，缩短了lab2市场周期。这种积极的反馈在中国很容易观察到。下游客户的高需求和技术要求促进了高质量化合物半导体衬底和晶圆的量产，技术改进快速迭代。

公司总部位于中国最发达的城市上海，为国内外客户提供各种各样的化合物半导体晶圆和晶锭。我们与大中华地区的顶级制造商建立了强大的网络和密切的关系，使我们能够及时提供最新的高质量产品和具有竞争力的价格。我们提供几乎所有类型的主流化合物半导体晶圆，其中最顶级的产品是从2英寸到尖端的8英寸的SiC晶圆，其他特别产品包括InP, GaN, GaSb和Ga2O3。我们的盟友公司提供的GaAs晶圆是大批量生产的。如有任何相关问题，请随时与我们联系，承诺在24小时内给予答复。